经过60多年的发展，全球半导体材料出现了三次突破性的发展进程。第一代半导体材料Si和Ge奠定了计算机、网络和自动化技术发展的基础，第二代半导体材料砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）奠定了信息技术的发展基础。
经过60多年的发展，全球半导体材料出现了三次突破性的发展进程。第一代半导体材料Si和Ge奠定了计算机、网络和自动化技术发展的基础，第二代半导体材料砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）奠定了信息技术的发展基础。
目前正在快速发展的第三代半导体材料碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）、金刚石（C）等，主要面向新一代电力电子、微波射频和光电子应用，在新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子、新一代显示等领域有广阔的应用前景，成为全球半导体产业发展新的战略高地。
我国的半导体材料和器件，长期依赖进口，其中高性能芯片完全依赖进口，受制于人的问题突出。除芯片设计与制造能力薄弱外，半导体单晶硅和大量辅助材料的国产化水平不足，进口依赖程度较高。同时，中美贸易摩擦的升级和2020年新型冠状病毒肺炎疫情的出现，将对全球先进半导体材料和辅助材料供应链安全与产业链分工产生持续影响。
从各个方面来看，我国实现先进半导体材料、辅助材料、关键技术、重要装备等的自主可控刻不容缓，我国半导体芯片行业也市场规模也将进一步扩大。
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